2026年1月15日，全球芯片代工龙头台积电举办2025年第四季度绩后法说会，释放三大重磅信号：“产能非常紧张”的现状直白揭示行业供需缺口，2026年业绩指引全线超市场预期，未来三年资本支出将显著增加，2026年单年资本支出预计达520亿-560亿美元（同比增幅最高37%）。在全球AI算力竞赛进入深水区、半导体行业迈向万亿美元超级周期的背景下，台积电的业绩表现与扩产规划，不仅彰显了自身龙头地位的稳固，更成为全球科技产业景气度的“风向标”，其产能布局与技术迭代将深刻影响全球产业链格局。
业绩亮眼：AI驱动营收利润双爆发，指引超预期彰显信心
台积电2025年第四季度及全年业绩交出超预期答卷，核心驱动力直指AI相关的高性能计算（HPC）业务爆发。财报显示，2025Q4净利润达5057亿新台币，同比大增35%，显著超出市场预期的4670亿新台币；毛利率攀升至62.3%，营业利率突破54%，双双创下阶段性新高。全年来看，2025年营收达1220亿美元，同比增长35.9%，每股收益（EPS）同比增幅高达46.4%，连续第八个季度实现利润同比增长。
业绩增长的核心逻辑是产品结构的持续优化。按技术划分，先进制程（7nm及以下）已成为营收主力，2025Q4占比达77%，其中3nm制程贡献28%、5nm占35%、7nm占14%，3nm制程全年占比提升至24%，成为关键增长引擎。按应用平台划分，HPC业务营收占比已达55%，同比增长48%，涵盖AI芯片、数据中心等核心需求；智能手机业务占比32%，同比增长11%，仍是基本盘支柱。
更为市场关注的2026年业绩指引同样表现强劲。台积电预计一季度营收为346亿-358亿美元，中值同比增长38%；毛利率预计达63%-65%，营业利率54%-56%，均大幅高于市场预估的59.6%和49.7%。公司同时预测，2026年以美元计的销售额将增长近30%，长期毛利率目标维持在56%以上，强劲指引背后是对AI算力需求持续性的坚定信心。
产能告急：先进制程供不应求，供需缺口倒逼扩产提速
发说会上“产能非常紧张”的表述，精准戳中当前全球高端芯片制造的核心矛盾。受生成式AI从云端向边缘端渗透、AI服务器与AI终端换机潮的双重拉动，台积电3nm、5nm等先进制程订单排期饱满，产能利用率持续处于高位。供应链消息显示，2026年上半年3nm与5nm制程产能利用率将接近100%，3nm制程订单被苹果、高通、联发科等手机芯片巨头，以及英伟达Rubin、AMD MI355X等HPC领域客户订满，多家云端服务供应商直接联系台积电请求追加产能。
产能紧张的本质是“需求爆发”与“供给滞后”的错配。一方面，全球AI基础设施建设投资已超1万亿美元，OpenAI、谷歌等企业对AI芯片的需求达到当前产能的三倍，直接推高HPC领域芯片代工需求；另一方面，先进制程芯片制造门槛极高，3nm、2nm制程不仅依赖EUV光刻机等尖端设备，且厂房建设、产能爬坡周期长达2-3年，短期内难以快速缓解缺口。此外，先进封装环节同样承压，台积电CoWoS封装产能供不应求，2025年产能达65万片，2026年计划扩至百万片，但仍难完全匹配AI芯片的复杂封装需求。
值得注意的是，产能分配已成为台积电的重要课题。苹果等传统大客户的订单需求稳定，而AI客户的需求具有爆发性和不可预测性，且部分产线存在共用性，如何在不同客户群体间实现平衡，考验着台积电的产能规划能力。目前，台积电已与客户提前2-3年开展合作对接，通过自上而下与自下而上结合的评估体系，精准预判需求趋势。
扩产加码：三年千亿资本支出，锚定先进制程与全球化布局
面对持续紧张的产能局面，台积电抛出史上最激进的扩产计划：未来三年资本支出将显著增加，2026年单年资本支出预计达520亿-560亿美元，较2025年实际支出的409亿美元增长37%，2026-2028年三年总规模将超1500亿美元。这笔巨额资金将聚焦三大方向，构建长期竞争优势。
聚焦先进制程迭代，巩固技术壁垒
资本支出的70%-80%将投入先进制程研发与产能建设。2nm（N2）制程已进入量产阶段，2026年底产能将提升至10万片/月，预计全年贡献80-90亿美元营收，占比约7%；衍生版本A16制程（1.6nm级别）将于2026年Q3正式量产，在相同性能下能耗可降低15-20%，进一步强化能效优势。同时，1.4nm（A14）制程已启动规划，预计2027年量产，通过工艺优化实现性能与成本的平衡。先进制程的持续迭代，将确保台积电在AI芯片等高端市场的垄断性地位，3nm、2nm节点2026-2027年预计持续满负荷运转。
加码先进封装与配套，破解产业链瓶颈
10%-20%的资本支出将投向先进封装、测试及光罩制作。针对CoWoS封装产能短缺问题，台积电不仅加速扩产，2026年产能目标冲刺百万片，还在研发方形载具解决方案CoPoS，预计2028年量产以提升生产效率。此外，高带宽内存（HBM）作为AI芯片的关键配套，其供应短缺已影响消费电子出货，台积电通过资本支出优化供应链协同，保障高端芯片整体交付能力。
推进全球化布局，平衡地缘风险
资本支出将持续支撑全球化产能落地。美国亚利桑那州工厂Phase2项目加速推进，计划2027年投产3nm制程，较原计划提前一年；日本工厂调整规划，原定生产车用芯片的产线改为2nm先进制程，预计2027年建成。海外工厂建设既为服务美国、日本本土客户，也为分散地缘政治风险，但目前核心先进制程与封装环节仍集中于中国台湾厂区，确保技术安全与生产效率。
行业影响：引领半导体超级周期，产业链共振受益
台积电的扩产动作与业绩表现，不仅是自身发展的战略布局，更将引领全球半导体行业进入结构性繁荣周期。据WSTS预测，2026年全球半导体市场规模将逼近1万亿美元，同比增长超25%，其中逻辑芯片与存储芯片将成为增长主力，而台积电作为高端制造核心，其产能释放节奏将直接影响行业景气度。
上游产业链将直接受益于巨额资本支出。半导体设备领域，ASML的EUV光刻机、应用材料的薄膜沉积设备等核心设备采购需求旺盛，2026年2nm相关光刻设备采购金额就达80-90亿美元；国产设备厂商中微公司、安集科技等已进入台积电供应链，有望持续获得订单增量。材料与封装环节，台积电先进制程与封装产能扩张，将拉动抛光液、光刻胶等材料需求，同时CoWoS产能缺口可能推动订单外溢，利好长电科技等国内封测龙头。
下游终端与算力生态将迎来新格局。台积电产能紧张倒逼部分客户寻求替代方案，特斯拉已与三星达成合作，AMD、博通等也在评估其他封装供应商，供应链多元化趋势显现。对于国内市场而言，台积电的技术封锁压力与行业高景气度形成双重催化，推动“大基金三期”聚焦光刻机、HBM等“卡脖子”领域，加速自主可控产业链建设。
挑战与展望：在周期波动与技术竞赛中稳航
台积电的扩产之路并非毫无挑战。一方面，半导体行业周期性特征显著，当前AI需求的爆发式增长能否持续，仍需观察终端应用落地节奏；内存短缺已导致IDC下调2026年消费电子出货量预期，可能间接影响智能手机等领域的芯片需求。另一方面，地缘政治风险持续发酵，美国对华半导体设备出口管制升级，可能影响先进制程设备采购与技术迭代；海外工厂建设面临成本超支、人才短缺等问题，产能释放进度存在不确定性。
展望未来，台积电的核心竞争力仍将聚焦“技术领先+产能保障”。随着2nm、1.6nm制程逐步量产，其在高端芯片代工市场的份额将进一步巩固，高盛预测台积电12个月目标价将升至新台币2330元，上涨空间达47%。在AI算力需求持续旺盛的背景下，台积电通过三年千亿级资本支出，有望逐步缓解产能缺口，同时推动全球半导体产业链向更高效率、更优结构演进，为数字经济发展筑牢芯片制造根基。
总体而言，台积电法说会传递的信号，本质是全球科技产业向“算力为王”时代转型的缩影。产能紧张是需求爆发的直接体现，业绩超预期是技术壁垒的市场回馈，而资本支出加码则是对未来增长的战略下注。在这场跨越周期的技术竞赛中，台积电正以扩产为笔、技术为墨，书写全球半导体产业的新格局。
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